Kimyasal buhar biriktirme işlemi
Kimyasal buhar biriktirme işlemi üç önemli aşamaya ayrılır: reaksiyon gazı substratın yüzeyine yayılır, reaksiyon gazı substratın yüzeyinde adsorbe olur, katı bir tortu oluşturmak için substrat yüzeyinde kimyasal bir reaksiyon oluşur, ve gaz fazı yan ürünleri substrat yüzeyinden ayrılır. En yaygın kimyasal buhar biriktirme reaksiyonları şunlardır: termal bozunma reaksiyonları, kimyasal sentez reaksiyonları ve kimyasal taşıma reaksiyonları. Genellikle TiC veya TiN, reaksiyon bölmesine 850 ~ 1100 ° C'de TiCl4, H2, CH4 ve diğer gazlar sokularak ve kimyasal reaksiyon yoluyla substrat yüzeyinde bir kaplama oluşturarak biriktirilir.